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單晶硅清洗超聲波清洗法

時(shí)間:2017-10-13    點(diǎn)擊: 次    來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)    作者:佚名 - 小 + 大

    超聲波清洗單晶硅片的方法是行業(yè)共知的,主要是將被洗研磨的單硅片,鋪排水平狀放在框架上,然后放到清洗槽底部,框架由支撐腳支撐在清洗槽內(nèi),必須保證去離子水的高度蓋過(guò)單晶硅片,超聲波電源也即Ultrasonic Generator輸送電源,安裝在超聲波清洗槽底部的超聲波振子將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能進(jìn)行清洗,超聲波頻率為40KHz,單晶硅硅片黑色污染物不斷被洗出,基本5分鐘將研磨的單晶片翻一個(gè)面,連續(xù)進(jìn)行超聲波清洗,直到干凈為止。原則上單晶硅片應(yīng)平鋪,堆積太多的話由于超聲波穿透力問(wèn)題難以達(dá)到,最上面的一層難以清洗干凈。PP花籃一般用聚四氟材料制成,會(huì)吸附和阻擋一部分超聲波的傳遞,會(huì)造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈的現(xiàn)象。

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